近日，光刻机巨头 ASML 在其最新财报中正式揭晓了其首款专注于 3D 集成领域的先进封装设备—— TWINSCAN XT:260。
这一举动，不仅揭开了 ASML 进军先进封装市场的战略序幕，更释放出一个强烈的市场信号：在摩尔定律趋近物理极限的今天，标志着前沿的半导体光刻技术正以前所未有的力度，向先进封装领域渗透与延伸。
ASML 的强势入局，无疑为火热的先进封装赛道再添一把火，并促使我们重新审视先进封装设备赛道的竞赛浪潮、竞争态势与未来走向。
可以说，一场围绕先进封装设备的全新竞赛正拉开序幕。
先进封装设备，成为"香饽饽"
事实上，ASML 的战略落子，恰是先进封装赛道持续升温的鲜明缩影。
近年来，随着 AI 芯片、高性能计算对芯片集成度、功耗效率的要求陡增，先进封装从"后端辅助工艺"跃升为性能突破关键环节，市场热度持续攀升。台积电、三星、英特尔等头部晶圆厂纷纷加码 CoWoS、SoIC、Foveros 等先进封装产能。据 IMARC Group 数据显示，2024 年全球先进封装市场规模为 457.3 亿美元，预计到 2033 年将达到 1133.3 亿美元，复合年增长率达 9.5%，增速和市场占比均远超传统封装赛道。
先进封装市场的火热也点燃了先进封测设备的发展浪潮。Yole Group 在报告中指出，2025 年后端设备总收入约 70 亿美元，预计到 2030 年将超过 90 亿美元，年复合增长率接近 6%。
随着芯片制造复杂性超越前道尺寸缩放，包括固晶机 ( Die Bonder ) 、倒装芯片贴片机 ( Flip Chip Bonder ) 、热压键合（TCB）、混合键合、引线键合、晶圆减薄、切割、计量与检测设备等在内的后道设备成为推动半导体创新的战略重点。
键合设备： 随着先进封装的快速发展，热压键合与混合键合成为增长最快的设备领域，反映封装正向芯粒（Chiplet）与 HBM 架构转型。
Yole Group 指出，热压键合（TCB）市场将在 2030 年达到 9.36 亿美元，将实现 11.6% 的年复合增长率，主要由内存与 AI 平台的集成需求推动。
TCB 设备市场规模走势图
混合键合设备市场将以 21.1% 的年复合增长率高速增长至 3.97 亿美元，其高密度、细间距互连对于先进 3D 集成至关重要。
混合键合设备市场规模走势图
此外，传统的芯片贴片机仍然不可或缺，并不断发展。倒装芯片（Flip Chip）贴片机与包括固晶机（Die Bonder）仍然是高产量、多市场采用的核心设备；而引线键合则继续服务于成本敏感市场，在汽车、工业与传统消费类应用中实现稳定增长。
能看到，虽然引线键合等传统解决方案仍然具有市场潜力，但 TCB、混合键合等先进技术才是推动最重大变革的关键。这一演变反映了行业正向高性能计算 ( HPC ) 、人工智能 ( AI ) 、汽车和 5G 应用的广泛转型，这些应用对性能、密度和可靠性至关重要。
晶圆减薄和切割：随着设备外形尺寸的缩小和晶圆级封装的激增，减薄和切割技术的需求强劲。
得益于超薄研磨（
在切割和减薄领域，刀片、激光和等离子切割技术使制造商能够实现精细的切口宽度和低应力切割，这对于易碎器件至关重要，市场预计 2030 年市场规模将达到约 20 亿美元，并且该领域也在不断发展。DISCO 凭借先进的双主轴刀片系统和飞秒激光创新技术，在切割领域处于领先地位；在晶圆减薄方面，等离子辅助技术和超薄研磨技术可提高电气和热性能，满足行业对更小、更高效芯片的需求。
计量与检测：计量与检测设备确保良率、可靠性以及符合严格的质量标准，自动光学检测、人工智能驱动的缺陷检测和预测分析正在提升质量保证。随着先进封装不断突破精度和可靠性的极限，这些功能至关重要，尤其是在汽车和高性能计算领域。
预计到 2030 年，计量与检测设备市场规模将增长至约 8.5 亿美元，这得益于缺陷分类、高分辨率光学和人工智能驱动分析技术的进步。KLA 和 Nova 等多家供应商正引领该领域的创新。
综合来看，未来几年 TCB 和混合键合将成为关键的增长领域，而晶圆级工艺和检测技术将确保良率和可靠性。激光和等离子切割技术日益受到青睐，提高了半导体器件的精度并降低了机械应力，晶圆减薄技术不断发展，超薄研磨和化学机械抛光技术增强了晶圆的均匀性。随着后端设备成为半导体制造的核心，其在提供下一代电子系统所需的性能和集成度方面将发挥关键作用。
设备巨头，各擅胜场
在后道设备市场，DISCO、BESI、 K&S、ASMPT、Hanmi 等厂商继续引领技术发展，是推动创新与扩产的关键力量。
其中，日本设备公司 DISCO 凭借其在晶圆减薄、切割和研磨技术方面的优势，站稳后道设备龙头的位置；得益于其对芯片贴装设备的高度关注以及在提供混合键合工具方面的领先地位，总部位于荷兰的 Besi 公司以位居第二。
美资企业库力索法（K&S）则凭借引线键合和芯片键合设备的优势位列第三；排名第四的 ASMPT 是一家在中国香港成立、成长，并在香港上市的中国公司，提供涵盖后道设备技术的解决方案，尤其注重大批量生产的自动化和集成。此外，该公司还涉足 TCB 和混合键合等关键先进封装技术；通过提供 HBM TCB 键合设备的 Hanmi 暂居第五。
DISCO：从其具体业务来看，DISCO 长期以来致力于提供最前沿的精密加工设备，广泛应用于晶圆切割、研磨、抛光和键合等环节。通过不断的技术创新，DISCO 在全球半导体制造领域保持了领导地位，并为推动 HBM、先进封装的进步提供了强有力的技术支持。
以 HBM 为例，在 HBM 技术中，TSV（硅通孔）工艺是核心，通过三维堆叠芯片来提升连接效率。DISCO 为 TSV 提供了全面的技术支持，包括晶圆切割、研磨和抛光等关键工艺，凭借其先进的 DBG（切割 + 研磨）技术和 SDBG 技术，能够成功解决在裸片制造过程中高精度和高效能的要求，确保芯片在堆叠过程中能够保持高精度和高效性，实现 HBM 等芯片的批量生产。
在混合键合技术领域，DISCO 的 W2W（晶圆对晶圆）和 D2W（裸片对裸片）键合技术，通过无凸块互连实现更高密度的集成和更低的能耗。这些技术特别适用于 HBM 和其他高性能封装的生产，能够大幅提升芯片的整体性能。
DISCO 还通过在极薄化处理、精密清洁和切割领域的技术突破，确保混合键合在先进封装工艺中顺利实施。
能看到，DISCO 的全流程支持涵盖了从前端晶圆处理到后端封装的多个环节，确保客户能够在高精度和高效能的生产中保持竞争优势。
BESI：总部位于荷兰的设备公司 Besi 凭借在混合键合设备领域的深厚积淀，成为行业的领军者。
Besi 主营业务是贴片机和固晶机，占据市场主导份额，但该设备主要是用在传统封装领域，因此 Besi 在过去几年的业绩并不算太好。而如今随着 AI 景气度的提升，Besi 迎来新的发展契机。
今年 4 月，Besi 公司收到两家领先存储芯片厂商针对 HBM4 应用的混合键合订单，以及一家亚洲领先晶圆代工厂关于逻辑芯片的追加订单。当季订单量达 1.319 亿欧元，彰显出强劲的市场需求。
KBC 证券分析师表示，Besi 的新订单非常积极，即使短期内可能有波动，也凸显其长期增长潜力。
Besi 在财报中指出，尽管主流和中国封装设备市场面临阻力，但受益于先进封装产品组合的强劲增长，尤其在混合键合、光子学和其他 AI 应用领域。自 2021 年以来，混合键合订单总额超 100 个系统，凸显该技术对 3D AI 相关组装应用的重要性。
实际上，混合键合已成为全球半导体设备厂重点布局方向，包括应用材料、ASMPT、Shibaura、TEL、SUSS 等纷纷入局，国内大陆公司也包括拓荆科技、华卓精科等。
值得关注的是，应用材料公司在今年 4 月收购 Besi 9% 股份，成为其最大股东，积极布局混合键合。双方自 2020 年合作开发"全集成混合键合设备"，结合应用材料的前端晶圆处理技术与 Besi 的后端高精度封装能力，共建"卓越中心"加速技术商用。
此次股权合作被视为双方技术协同的深化：
技术互补：应用材料贡献其在晶圆加工、薄膜沉积及材料工程领域的核心能力，而 Besi 则提供高精度芯片贴装与组装设备技术。
量产突破：双方联合开发的混合键合系统已进入技术验证阶段，目标在未来 2-3 年内实现大批量生产，满足数据中心、人工智能及自动驾驶等高算力应用场景的需求。
随着先进制程逼近物理极限，芯片制造商正转向异构集成与 3D 封装技术以提升性能。混合键合凭借其高密度互连与低功耗优势，被视为替代传统微凸点技术的关键方案。这将直接推动 Besi 在逻辑与内存应用领域的先进封装解决方案需求增长。
TCB 设备，多强争霸
上文提到，热压键合（TCB）设备因直接决定封装良率与成本，成为行业竞争焦点，催生了多强争霸的市场格局。
韩美半导体凭借先发优势稳居行业龙头，自 2017 年与 SK 海力士深度合作以来，伴随其成为英伟达独家 HBM 供应商而巩固地位。2024 年公司销售额同比增长 252%，营业利润激增 639%，并成功突破美光供应链，获其 50 台设备追加订单，供应美光的 TC-NCF 工艺设备单价较 SK 海力士采购价高出 30%-40%。作为首个推出 HBM4 专用设备" TC Bonder 4 "的厂商，其设备可支持 16 层以上堆叠，2025 年下半年已启动量产供应，摩根大通预测其主导地位至少维持三年。
韩华 SemiTech 则以"搅局者"姿态崛起，背靠韩华集团资本支撑，2024 年向 SK 海力士交付 12 台 TCB 设备，总金额达 4200 亿韩元。其设备以自动化系统与维护便利性见长，可支持 8-16 层堆叠，精准匹配 SK 海力士需求。2025 年成立先进封装设备开发中心，将布局从 TCB 延伸至混合键合领域，借 SK 海力士与韩美半导体的合作裂痕加速扩张。
ASMPT 凭借技术硬实力切入头部供应链，其 TCB 设备已进入 SK 海力士 HBM3E 试产线，支撑 16 层堆叠产品量产，2025 年订单可见度达 12 个月。在满足 ±1.5μm 对准精度与 120UPH 效率要求的同时，成本显著低于混合键合技术，形成差异化优势。公司同步推进混合键合设备商业化，并分拆"奥芯明"品牌实现本土化生产，成本竞争力提升 30%，临港研发中心投产进一步缩短交付周期。
库力索法（K&S）则聚焦高层堆叠需求，第三代 APTURA 设备支持无助焊剂键合与铜对铜互连，适配 16 层以上堆叠及 45 微米以下键合间距，已获两家客户量产验证。其与 UCLA 合作探索混合键合替代方案，2025 年推出的垂直线焊等新技术，进一步夯实先进封装领域地位，有望受益于美国本土 HBM 产业化需求。
日本新川（Shinkawa） 作为 TCB 设备先驱，曾是三星核心供应商，但受技术迭代滞后影响，单电机双焊头设计难以满足 8 层以上堆叠需求，市场份额被韩企与新加坡厂商蚕食。目前三星已全面停用其设备，合作实质终止，在本土设备投资放缓背景下逐步边缘化。
SEMES（三星旗下） 则借"自家供应"模式实现崛起，通过自研设备替代新川产品，已支撑三星 HBM2E 及 4 层产品量产。伴随三星 HBM3E 出货拉升与 HBM4 研发推进，其设备需求持续增长，受益于 2025 年韩国半导体设备市场 48% 的同比增幅，成为三星供应链自主化战略的核心支撑。
需要关注的是，无助焊剂 TCB 作为一项引人注目的创新技术，能够减少污染并提高可靠性。Hanmi、ASMPT、K&S、BESI 等供应商正在积极拓展这一领域。
整体来看，从 DISCO 凭借晶圆减薄、切割技术创下出货新高，到 BESI 以混合键合设备卡位 HBM4 机遇，再到韩美半导体、ASMPT 等在 TCB 设备领域的激烈角逐，后道设备厂商成为这场技术浪潮的核心受益者。与此同时，头部存储厂商供应链的多元化（如 SK 海力士扩围供应商）与自研内化（如三星倚重 SEMES），进一步激活了设备市场的创新活力与竞争。
ASML 挥师"后道"，破局先进封装市场
上文提到，ASML 在最新财报中抛出的 TWINSCAN XT:260 光刻机，作为其首款面向先进封装的量产设备，不仅填补了高端封装光刻领域的技术空白，更重构了行业对封装环节精度与效率的认知。
XT:260 的核心竞争力源于对先进封装场景的深度定制，在光源选择、精度控制与生产效率上实现三重突破。据了解，该设备采用 365nm i 线光源，通过优化工艺系数（k 值 0.65）与数值孔径（0.65 NA），能够实现 400nm 分辨率的精准图案化，恰好匹配先进封装中 RDL（重分布层）、TSV（硅通孔）等关键工序的制程需求。
相较于传统封装光刻设备，其通过四重相场拼接技术将单次曝光面积扩展至 26mm×33mm，配合双工作台并行处理设计，配合 340mJ 剂量下的高线宽压缩激光光源，使生产效率达到每小时 270 片晶圆，较前代机型提升 4 倍，接近 KrF 机型的生产力水平。
在精度与可靠性方面的升级也是关键。据悉，XT:260 的套刻精度控制在 ±1.2nm（3σ），较 ASML 前代封装机型提升 52%，这得益于蔡司定制投影透镜与 AERIAL II 照明系统的协同优化。
众所周知，光刻技术早已不是前道晶圆制造的专属工具，在先进封装的中道与后道环节中，从 TSV 到中介层，从 RDL 到 Fan-out 工艺，均离不开高精度光刻设备的支撑。这些工艺共同构成了 3D 集成的"立体互联骨架"，而 ASML XT:260 的推出恰好解决了传统封装光刻设备效率低、精度不足的痛点，成为衔接各环节的关键设备。
在 CoWoS-R 封装、面板级封装（FOPLP）以及 TSV 制造等领域，XT:260 将为高层级集成提供核心支撑，为 ASML 客户在 3D 集成领域的需求提供支持。
结合上述设备厂商的布局来看，ASML 的入局并非对现有封装设备市场的颠覆，而是精准填补了高端封装光刻的供给缺口，与其他环节设备厂商形成生态互补。从先进封装设备价值量分布看，CMP（化学机械研磨）、Bumping（凸点）电镀的价值量占比均达 7.5%，光刻设备占比约 6.3%，各环节存在清晰的技术边界。
当前市场中，韩美半导体、ASMPT 聚焦 TCB 键合设备，新川主攻检测设备，应用材料则擅长薄膜沉积设备，这些厂商均专注于封装的键合、检测、沉积等细分环节。而 XT:260 专注于图案化核心工序，其客户订单主要来自台积电、日月光等头部封装厂，与键合、检测等设备厂商形成工序协作关系。
ASML 这一差异化布局，进一步完善了先进封装设备的产业生态。
本土设备厂商的危与机
不难看到，先进封装设备市场早已形成跨国巨头割据的格局。DISCO、BESI、K&S、ASMPT 等企业凭借数十年技术积淀垄断市场，如今 ASML 携 XT:260 光刻机入局，进一步加剧了高端市场的竞争烈度，本土设备厂商正身处内外承压的复杂环境。
有业内专家向笔者表示，本土厂商的生存危机首先源于市场话语权的缺失。
当前国内供应商仅能满足不到 14% 的本土后道设备需求，核心设备依赖进口的现状尤为突出。在商业选择上，国内封测厂更倾向于成熟可靠的海外设备，给国产设备的验证与迭代带来障碍。同时，地缘政治的不确定性更添隐忧，海外并购之路因外部环境受阻，自主研发则面临专利壁垒与技术代差，生态体系成熟或需等到 2030 年之后。
但危机背后，本土厂商也正在迎来多重发展机遇。一方面，政策与资本的双重赋能形成了强大支撑，大基金向设备环节倾斜，叠加先进工艺产线补贴政策，为研发投入提供了底气；另一方面，市场需求的爆发更成为突围的核心动力，国内头部封装厂加速 2.5D/3D 布局，AI 芯片与 HBM 带来的先进封装需求井喷，催生了设备采购热潮。
尤为关键的是，国产替代已从单点突破迈向系统崛起，北方华创、中微公司、上海微电子、盛美、青禾晶元等头部企业在刻蚀、薄膜沉积、光刻、电镀、清洗、键合等领域形成产品矩阵，核心部件国产化率显著提升，2025 年国内后道封测设备国产化率有望突破 20%。
其中值得关注的是，中国最大的光刻企业上海微电子有限公司（SMEE）分拆出子公司 AMIES。SMEE 专注于开发前端设备，而 AMIES 则致力于快速实现商业化。其旗舰产品是先进封装光刻设备，该设备在全球市场占有 35% 的份额，在中国市场占有 90% 的份额。AMIES 获得国家全力支持，包括地方政府基金的投资。
此外，国产设备厂商青禾晶元在先进封装领域也构建了完整的产品矩阵，其自主研发的系列键合设备展现出显著的技术优势，产品线涵盖超高真空常温键合、亲水 / 混合键合、热压 / 阳极键合、临时键合 / 解键合以及高精度 TCB 键合等全系列设备，达到国际先进水平，配合超原子束抛光和膜厚修整设备，为先进封装提供全方位的工艺解决方案。
长远来看，本土厂商的破局需把握三重关键：
依托内需市场完成技术验证与产能爬坡，充分发挥本土需求与政策协同优势；
深化产业链协同，从设备到核心部件形成自主可控的产业集群；
在 ASML 与传统巨头的技术夹缝中寻找差异化路径，聚焦特定封装工艺实现单点突破。
先进封装设备的竞争本质是创新、产能与技术主权的较量。尽管当前本土厂商仍面临市场份额不足、技术积累薄弱的挑战，但在需求驱动、政策扶持与自主创新的合力下，其正从产业追随者向重要参与者转型。
这场突围战不仅关乎企业生存，更决定着中国半导体产业链的安全底色，而危局中的每一步突破，都在为产业自主可控筑牢根基。
结语
AI 算力爆发与 3D 集成技术演进，正将先进封装设备推向半导体产业的核心舞台，成为技术创新的主战场。
ASML 携 XT:260 入局，不仅以高端化光刻解决方案激活行业技术升级，更让 DISCO、BESI、ASMPT 等传统巨头与本土厂商的竞争格局愈发明朗。
这场竞争浪潮中，中国本土厂商正身处危与机的十字路口。危机在于，当前本土供应商仅能满足少量的国内需求，高端设备仍被海外企业垄断。但机遇同样鲜明：随着政策、资金与生态重点倾斜设备环节，国产 AI 芯片与封测厂的扩产需求形成强大内需支撑，部分企业已在刻蚀、沉积、电镀等领域实现突破。
先进封装的赛道上，行业景气度与竞争烈度同步攀升。这场由巨头引发的行业震动，正揭开先进封装设备浪潮、竞争格局与技术进展的深层探讨序幕。
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